美國(guó)晶片法案加碼對(duì)中國(guó)限制 將升高地緣政治風(fēng)險(xiǎn)

　　集邦科技昨日出具報(bào)名指出，美國(guó)火速通過晶片法案、加碼對(duì)中國(guó)限制， 將導(dǎo)致地緣政治風(fēng)險(xiǎn)升溫。

　　集邦表示，過去兩年因疫情造成的晶片供應(yīng)鏈斷鏈，以及中美貿(mào)易摩擦、俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)等地緣政治升溫，使全球各區(qū)域經(jīng)濟(jì)體提高對(duì)區(qū)域生產(chǎn)與供應(yīng)鏈自主性的關(guān)注。

　　集邦調(diào)查，以全球各區(qū)域12寸約當(dāng)產(chǎn)能來看，到2025年，中國(guó)臺(tái)灣占比約43%，中國(guó)大陸占比約27%、美國(guó)8%、韓國(guó)12%;7納米以下先進(jìn)制程產(chǎn)能方面;到2025年，中國(guó)臺(tái)灣占比約69%、韓國(guó)18%、美國(guó)12%、中國(guó)大陸1%。和今年相比，顯見美國(guó)未來三年將提升先進(jìn)制程產(chǎn)能占比，中國(guó)大陸則以成熟制程為主軸。

　　但上周美國(guó)參眾議院火速通過《美國(guó)晶片法案》，該法案全名為“晶片和科學(xué)法案”，正式進(jìn)入最后程序，待拜登總統(tǒng)簽署后即正式生效。

　　集邦指出，該法案草案不僅涵蓋晶圓制造研發(fā)與建廠補(bǔ)助、稅務(wù)優(yōu)惠補(bǔ)貼等，同時(shí)也提出附加限制條款，擬針對(duì)獲美國(guó)國(guó)家補(bǔ)貼的公司，限制獲補(bǔ)助期間，不得在中國(guó)大陸投資28納米以下制程技術(shù)，以確保該法案對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的保護(hù)。

　　集邦表示，目前同時(shí)在中美投資擴(kuò)產(chǎn)、建新廠的半導(dǎo)體公司，僅有臺(tái)積電與三星(Samsung)，《美國(guó)晶片法案》將如何限制兩家業(yè)者在中國(guó)大陸的投資，值得持續(xù)關(guān)注。

　　集邦表示，由于美《實(shí)體清單》明文禁止用于1X納米及以下先進(jìn)制程的美國(guó)技術(shù)銷售予被列入清單的公司，多數(shù)中國(guó)大陸晶圓代工業(yè)者因而轉(zhuǎn)向積極擴(kuò)充28納米及以上成熟制程技術(shù)，同時(shí)中國(guó)大陸也積極培植國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備，企圖達(dá)成全非美系制造產(chǎn)線。

　　不過集邦分析，現(xiàn)階段美系設(shè)備商仍掌握部分半導(dǎo)體制程關(guān)鍵機(jī)臺(tái)，尤其在7納米以下先進(jìn)制程仍必須采用美系設(shè)備方能制造，短期內(nèi)要達(dá)成全非美系產(chǎn)線的難度高。(來源：臺(tái)灣“中央社”)